TO-220窒化アルミニウムセラミック基板 |トウセン

TO-220 窒化アルミニウム セラミック基板は、熱伝導率 170W/mK、誘電率 8.7 により、高出力電子アプリケーションに優れた熱管理を提供します。この高度なセラミック基板は、パワー半導体からの熱を効率的に放散しながら、優れた電気絶縁特性を提供します。窒化アルミニウム材料は、要求の厳しい熱環境において高い機械的強度と信頼性の高い性能を実現し、熱管理と電気的絶縁の両方が重要な電力密度アプリケーションにとって理想的なソリューションとなります。高出力 LED、IGBT モジュール、MOS トランジスタ向けに特別に設計されたこのセラミック基板は、極端な熱条件下でも安定した動作を維持します。密度 3.3g/cm3 と優れた熱膨張特性を備えたこの材料は、さまざまな半導体パッケージや実装構成との互換性を保証します。白色の窒化アルミニウムセラミック基板は、特定のアプリケーション要件を満たすカスタムサイジングをサポートしており、設計者にパワーエレクトロニクス、通信デバイス、産業用制御システムの熱管理ソリューションの柔軟性を提供します。この熱管理基板は高周波アプリケーションで効果的に動作し、低い損失正接と高い体積抵抗率を提供して電気的性能を向上させます。熱伝導性と電気絶縁性の組み合わせにより、熱放散と信号の完全性が最重要視される高度なパワーモジュールに適しています。セラミック基板の材料特性により、自動車エレクトロニクス、再生可能エネルギー システム、およびハイパフォーマンス コンピューティング アプリケーションにおける長期信頼性が保証されます。